
在摩尔定律放缓的背景下,单一技术升级已难以满足日益增长的算力与能效需求。在此背景下,将传统RAM芯片与新兴的MRAM技术进行深度集成,正成为重构计算系统存储层级的重要方向。这种融合不仅提升了系统性能,更推动了从“冯·诺依曼架构”向“近存计算”演进。
传统计算机采用“缓存-主存-外存”的三级存储结构,其中缓存(SRAM)速度最快但容量小,主存(DRAM)容量大但功耗高。通过引入MRAM作为中间层,可构建“三明治式”新型存储体系:
该结构使系统可在断电后快速恢复状态,极大提升启动速度与容错能力。
MRAM的静态功耗远低于传统DRAM,尤其在待机模式下几乎为零。结合动态电压频率调节(DVFS)技术,系统可在低负载时将部分工作负载转移至MRAM,从而大幅降低整体能耗。
要充分发挥集成优势,必须进行软硬件协同优化:
已有多个企业开始布局相关产品:
尽管前景广阔,但仍需克服以下障碍:
未来趋势将聚焦于:新材料(如SOT-MRAM)、更先进的制程节点、自动化测试平台建设,以及跨平台的生态系统构建。
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